名称 规格型号 数量 电子天平 AL204,万分之一 2 电子天平 PL203,千分之一 1
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线密度(D数)、单纤根数(F数)、线密度偏差、线密度变异系数、乌斯特条干均匀度CV%值、细节/粗节/棉节、断裂强度、强力CV%值、断裂伸长率、断裂伸长CV%值、黑板棉结杂质、纱线捻度、回潮率、混纺比、油脂率。 三、化纤长丝 线
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及新技术推广服务。南京市玄武区锐质源化工技术服务中心 地 址:中国 江苏 南京市玄武区 南京市玄武区板仓街9号世界之窗文化产业园C2-420 邮 编:210042 联系人:佟凤宇 电 话:86 025 66916325 网址
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真菌学国家重点实验室的发展史可追溯于1953年1月成立的以戴芳澜院士为主任的真菌植病研究室。在此基础上,1956年12月成立中国科学院 应用真菌学研究所,并成为于1958年12月成立的中国科学院微生物研究所的建所基础,原“应用
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。承担国家及省重点攻关项目、国家新药基金项目等6项,安徽省自然科学基金2项,安徽省“十五”中药现代化科技专项2项,省“十一五”重点科研项目2项,获得省部级科技成果奖10项。 近年来全所共取得新药证书20余项,共发表学术论文100余篇,获得国家
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1988年国家发明一等奖 2 大面积人工合成氟金云母单晶的生成工艺技术 1979年国家发明二等奖
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:金相试样镶嵌机仪器 型号:XQ-2B仪器 简介: 主要技术指标: 1.试样压制规格:φ22*15mm φ30*15mm φ45*15mm 2.加热器规格:650w,220v 3.温度调节范围:0-160
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与分析、杂质鉴定等。力学性能测试:拉伸、压缩、弯曲、撞击、硬度测试等显微分析:微观分析、表面污染物分析金相分析:非金属夹杂物、低倍组织、晶粒度、硬化层深度、脱碳层、金相切片分析等镀层分析:镀层分析、表面污点分析、表层硬度与粘着力分析断口分析
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。 (2)少子寿命仪:少子寿命仪可测量硅半导体中的少子寿命,测试硅电池材料的光电性能,以初步判断硅电池材料能否进入实际应用。 (3)深能级瞬态谱仪(DLTS):深能级瞬态谱是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要
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